一种氙本底的多模式富集分析装置的控制方法
专利号：CN115979779B
成果方：浙江恒达仪器仪表股份有限公司
成果类型：发明授权
发明人：王文鹏; 金玉仁; 毛传林; 吴程; 潘志东
授权日：2023-07-28
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本发明公开了一种氙本底的多模式富集分析装置的控制方法，其特征在于控制方法包括通过控制系统设定该装置的若干个程控阀、取气富集装置、若干级氙分离柱、冷柜和氙分离柱活化再生装置的工作参数。该发明通过冷柜控制吸附温度为‑28℃～18℃，实现浅低温吸附，通过升高各级氙分离柱的尾压为0.1MPa～0.6MPa，实现增压吸附，使各级氙分离柱的动态吸附系数由常温常压下的0.43L/g提高至1.2～3.4L/g，实现了吸附性能的自升高，从而提高了吸附效率，降低了在指定进气体积下各级氙分离柱的吸附剂的装填量；本发明还能够适用于大体积取样监测及高频次小体积取样监测纯化浓缩灵敏取样监测，因此不仅能用于核事件的取证和核事故早期预警，还通随即转入核应急放射性氙取样监测。